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AlN薄膜

簡要描述:AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法,用來取代氮化鋁單晶襯底??凭д嬲\歡迎您的垂詢!

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-02-10
  • 訪  問  量:2898

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱:

氮化鋁(AlN)薄膜

產(chǎn)品簡介:

AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法,用來取代氮化鋁單晶襯底。科晶真誠歡迎您的垂詢!

技術(shù)參數(shù):

尺寸

 dia50.8mm±1mm

藍(lán)寶石襯底取向

 c軸(0001)±1.0deg

襯底:

 Al2O3;SiC;GaN

薄膜厚度:

10-5000nm

導(dǎo)電類型:

 半絕緣型

位錯密度:

XRD FWHM of <0002><500arcsec;

XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

有效面積:

>80%

拋光:

單拋光


  產(chǎn)品規(guī)格:


氮化鋁(藍(lán)寶石襯底):dia2"*1500nm±10%


注:可根據(jù)客戶需求定制特殊的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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