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GaSb晶體基片

簡要描述:銻化鎵(GaSb)晶體基片

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-02-10
  • 訪  問  量:1411

詳細介紹


產品名稱:銻化鎵(GaSb)晶體基片
技術參數(shù):

單晶:

GaSb

摻雜:

none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

導電類型:

P   P-    P+    N

載流子濃度
cm-3  :

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位錯密度
cm-2  :

<103

生長方法及
zui大尺寸 :

LEC ? 3"

產品規(guī)格:

標準尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 單拋,

表面粗糙度Ra:<15A              

可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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